内存价格正经历显著上涨。美国投资银行Jefferies预测，2026年第三季度内存价格将环比攀升40%至50%，随后在第四季度继续上涨30%至40%。至2027年全年，预计同比涨幅将达到40%至45%，且此增长趋势至少将持续到2028年才会有所放缓。

供应方面，全球三大动态随机存取存储器（DRAM）制造商三星、SK海力士和美光，其现有产能已接近饱和，并且约一半的当前产能已被长期协议锁定。

与此同时，扩产计划也在同步进行。此前，美光已在美国等地投资超过1500亿美元用于新建产能。三星电子与SK集团近期联合公布了一项为期十年的半导体及人工智能基础设施投资计划，总金额高达200万亿韩元，约合1.3万亿美元。三家存储原厂的合计投资预计将超过1.5万亿美元。

值得注意的是，这三家巨头占据了超过90%的市场份额，也因此引来了反垄断诉讼。美国律所Hagens Berman指控它们涉嫌合谋操纵价格，人为制造供应短缺。

01 存储原厂加大投资力度

根据当地媒体报道，三星与SK集团的人工智能基础设施项目投资涵盖半导体、显示、电池及数据中心等多个领域，其中半导体是重点投入方向。

三星计划在韩国光州和全罗南道地区建设4至5座晶圆制造厂，投资约30万亿韩元。在龙仁半导体集群，计划增建6座晶圆厂，投资36万亿韩元，原定2048年完工，现已提前至2034至2035年。此外，在忠清南道天安和温阳的先进封装基地将投入超过56万亿韩元，用作封装研发与生产中心。

在半导体之外，AI数据中心投资将超过35万亿韩元，主要选址在忠清南道牙山。

SK海力士则计划在光州建设四到五座晶圆制造厂，并在忠清北道清州扩建NAND闪存工厂，相关投资规模约60万亿韩元。

在此之前，SK海力士已启动部分扩产项目，但该公司并未明确这些项目是否包含在本次公布的新投资计划内。例如，SK集团会长崔泰源曾于6月11日表示，位于清州的M15X晶圆厂预计2026年下半年开始运营，初期月产能为4万片，并计划在2027年增至约8万片。

此外，龙仁半导体集群的推进也在加速，一期工程预计2027年初完工，包含6个洁净室，每个洁净室将逐步增加月产能6万片。仅第一工厂到2030年上半年，就可增加月产能36万片DRAM。

美光的扩产计划在全球市场同步推进，美国本土是其核心区域。在第三财季业绩电话会议上，首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）披露，第四财季的资本支出指引约为100亿美元，2026财年全年将达270亿美元。他同时预告，2027财季的季度资本支出将高于2026财年第四财季水平，其中超过一半的同比增长将来自建设资本支出。

目前，美光正在美国爱达荷州博伊西总部园区新建两座晶圆厂ID1和ID2，总投资500亿美元，这是美国有史以来建造的最大洁净室之一。ID1预计于2027年中期产出首批DRAM晶圆，包括用于高带宽存储器（HBM）的基础芯片。ID2预计在2028年底前投产。

纽约州锡拉丘兹的晶圆厂集群投资额高达1000亿美元，是纽约州历史上最大的单笔私人投资，已于2026年1月动工。弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂近期已启动1-alpha DDR4技术生产，主要满足汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场对成熟制程产品的需求。

在亚洲，日本广岛的新建DRAM晶圆厂投资96亿美元，已引入EUV设备。在中国台湾地区收购的现有晶圆厂预计2027年中实现批量产品出货，比原计划提前约一个季度。附近规模相当的第二座洁净室已开建，将支持EUV设备。新加坡将成为美光先进封装卓越中心，重点扩展HBM封装产能，预计2027年上半年开始贡献收入。当地新建的NAND晶圆厂十年投资额约为240亿美元。

梅赫罗特拉特别提到，美光近期与ASML签署了一项多年期EUV供应协议，为下一代1-delta节点及更先进工艺奠定基础。

三家公司的投资安排均体现了扩产策略，但均采取拉长时间、分摊负担的方式，并未押注于短期的爆发性增长。桑杰在美光第三财季电话会议上解释，全行业都在努力增加供应，但扩产速度受到晶圆厂建设周期长、设备交付延迟、熟练工人短缺以及能源和水电基础设施不足等因素的制约。他将这些因素统称为“结构性约束”，并认为在此约束下，未来两三年内，供应端的紧张局面很可能难以缓解。

02 HBM成为战略焦点

相较于传统DRAM，真正让下游厂商感到担忧的是高带宽存储器（HBM）。HBM这种堆叠式高带宽内存的需求逻辑与以往所有内存产品类别均不相同。

6月份，黄仁勋在首尔与SK集团会长崔泰源会面时表示，SK海力士到2030年将存储晶圆产能翻倍的计划仍显不足。他透露，英伟达已从SK海力士采购，年采购额达数十亿美元，且这一数字还将大幅增长。

根据分析师fin在《AI半导体终局推演》中的测算，每张GPU的HBM容量需求每年增长约40%，而供应端的产能增量仅为14%。DRAM的单元密度增速仅为9%，导致需求与供给的差距日益扩大。这意味着DRAM的供给增速仅为24%，增速差值达到16%。

更为关键的是，传统DRAM是标准化产品，在周期下行时需求会骤跌，价格随之暴跌，导致行业面临巨亏。HBM则有效规避了这一风险。fin认为，尽管HBM的上层堆叠仍是DRAM，但其基底裸片（Base die）具有定制化属性，客户需要与存储原厂签订长期合同锁定产能。同时，AI需求的可预测性更强，价格下跌反而会刺激客户加大配置量，形成支撑。此外，由于技术更新换代快，旧产品贬值迅速，存储原厂更倾向于争夺fabless客户下一代技术的认证资格，而非在存量市场进行价格战。

fin的分析显示，HBM已从过去“赚一年亏三年”的传统周期性产品，转变为“上行赚得多、下行亏损少”的成长性产品。他认为，只要Transformer架构中的注意力机制不被颠覆，HBM的指数级需求就不会停止。

03 韩国产能争夺战

6月份，黄仁勋在韩国与SK集团会长崔泰源、SK海力士CEO郭鲁正等举行了“晚餐会”。会后，黄仁勋向媒体确认，英伟达新推出的Vera CPU将采用SK海力士的DRAM，双方正在为今年下半年和明年进行“超大规模的合作”做准备。同一天，英伟达与SK海力士宣布了一份多年期技术合作协议，内容涉及AI超级计算机向机器人、数字孪生及半导体制造的延伸。

黄仁勋并非唯一关注韩国内存产能的科技巨头。今年3月，AMD的CEO苏姿丰在她2014年上任以来的首次韩国之行中，将第一站设在了三星电子位于京畿道平泽的园区。双方签署的谅解备忘录涵盖多个层面：三星将为AMD下一代AI加速器MI455X供应HBM4内存，并为其代号为“Venice”的第六代EPYC处理器开发定制化的DRAM方案。

科技巨头纷纷涌向韩国，其根本原因在于内存正从一种可按需采购的通用组件，转变为需要CEO亲自出马争取战略资源。

04 美光采取强硬姿态，苹果受影响

在此轮涨价潮中，美光的态度比三星和SK海力士更为坚定。在发布创纪录的第三财季业绩后，美光首席商务官苏米特·萨达纳在接受《华尔街日报》采访时，罕见地回顾了过去。

他透露，美光在上一次行业低迷期未能进行扩产投资，部分原因是某些客户“在定价上非常激进”，“以最低价采购”，将供应商的毛利率压至负数。他表示，美光当时已告知这些客户，“这种做法缺乏建设性”。由于极差的定价和利润率，2023年许多行业投资被直接叫停。

尽管未点名，但美光“吐槽”的客户普遍被认为是苹果公司。苹果长期以来以其与供应商强硬的议价能力而闻名，通过长期采购合同锁定低价，从而最大限度地压低自身成本，同时提高终端产品价格。

然而，其强硬的供应链策略间接诱发的存储短缺，也开始反噬苹果自身。苹果CEO蒂姆·库克最近承认，本轮内存短缺是“百年一遇的洪水”，涨价“不可避免”。此言论不久后，苹果对其MacBook、iPad、Apple TV和Vision Pro等产品线进行了全面提价。当日，苹果市值蒸发了2650亿美元。

据《金融时报》报道，苹果公司正悄悄游说华盛顿，希望获得许可向中国存储芯片制造商长鑫采购内存。在苹果看来，长鑫未深度参与AI用HBM的供应竞争，理论上可以提供更具价格优势的内存。

市场研究机构Gartner分析师兰吉特·阿特瓦尔（Ranjit Atwal）评论道：“即便拥有所有专业知识和长期规划，苹果也无法幸免，此次事件已超出了他们控制影响的能力。”

目前，市场普遍预测，最快也要到2028年之后，存储短缺问题才会缓解。然而，一旦权力结构发生转变，要回到原点将十分困难。在存储市场，买方已不可能再获得过去那种“予取予求”的筹码——内存的“大宗商品时代”正在落幕，而终端厂商尚未完全适应这一趋势。

特约编译金鹿对本文亦有贡献。

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2026-07-02

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